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IRLHS6276TR2PBF
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:場效應(yīng)管陣列,6-PQFN
技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
(專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:IRLHS6276TR2PBF制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN系列:HEXFETFET 類型:2 個 N 溝道(雙)FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.5A不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):45 毫歐 @ 3.4A,4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):3.1nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):310pF @ 10V功率 - 最大值:1.5W安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:6-PowerVQFN供應(yīng)商器件封裝:6-PQFN(2x2)現(xiàn)在可以訂購IRLHS6276TR2PBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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