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產品參考圖片

IRFSL31N20D

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應管，TO-262

技術參數：MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

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（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）

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技術參數詳情：

制造商產品型號：IRFSL31N20D

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：31A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：82 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：110nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2370pF @ 25V

功率 - 最大值：3.1W

安裝類型：通孔

產品封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：TO-262

現在可以訂購IRFSL31N20D，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。

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