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IRFHS8342TR2PBF
制造廠商：IR（國際整流器公司）
類別封裝：單端場效應管，6-PQFN
技術參數：MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現貨當天發貨�。�
（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
技術參數詳情：
制造商產品型號：IRFHS8342TR2PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN系列：HEXFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8.8A（Ta），19A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 8.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.7nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 25V功率 - 最大值：2.1W安裝類型：表面貼裝產品封裝：6-PowerVQFN供應商器件封裝：6-PQFN（2x2）現在可以訂購IRFHS8342TR2PBF，國內庫存當天發貨，國外庫存7-10天內發貨。
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