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IRFHM830DTR2PBF
產(chǎn)品參考圖片
IRFHM830DTR2PBF
制造廠商:
IR(國(guó)際整流器公司)
類(lèi)別封裝:
單端場(chǎng)效應(yīng)管,PQFN
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
(專(zhuān)注銷(xiāo)售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
(您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu))
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):IRFHM830DTR2PBF
制造廠家名稱(chēng):IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購(gòu)
描述:MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
系列:HEXFET
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):20A(Ta),40A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1797pF @ 25V
功率 - 最大值:2.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
產(chǎn)品封裝:8-VQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝:PQFN(3x3)
現(xiàn)在可以訂購(gòu)
IRFHM830DTR2PBF
,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
IRF7504TR
IRL3215
IRFI540NPBF
IRF8915
IRF6633ATR1PBF
IR2118STR
IRFR13N20DTRR
IR2112
IRAUDAMP18
IR芯片(國(guó)際整流器公司)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專(zhuān)家,
IR代理商
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