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產品參考圖片

IRFH5220TR2PBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應管，PQFN

技術參數：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

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技術參數詳情：

制造商產品型號：IRFH5220TR2PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3.8A（Ta），20A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：99.9 毫歐 @ 5.8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1380pF @ 50V

功率 - 最大值：3.6W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：8-VQFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：PQFN（5x6）

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