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IRF6711STR1PBF
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:單端場效應(yīng)管,DIRECTFET
技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
(專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:IRF6711STR1PBF制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ系列:HEXFETFET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):25V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):19A(Ta),84A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 19A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1810pF @ 13V功率 - 最大值:2.2W安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:DirectFET 等容 SQ供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET SQ現(xiàn)在可以訂購IRF6711STR1PBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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