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產品參考圖片

IRF6641TR1PBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應管，DIRECTFET

技術參數：MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

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技術參數詳情：

制造商產品型號：IRF6641TR1PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4.6A（Ta），26A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：59.9 毫歐 @ 5.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 150μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2290pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：DirectFET 等容 MZ

供應商器件封裝：DIRECTFET MZ

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